The publisher does not give any warranty express or implied or make any representation that the contents will be complete or accurate or up to date. The accuracy of any instructions, formulae, and drug doses should be independently verified with primary sources. The publisher shall not be liable for any loss, actions, claims, proceedings, demand, or costs or damages whatsoever or howsoever caused arising directly or indirectly in connection with or arising out of the use of this material.

nexusstc/Growth of thin films by laser-induced evaporation/ffdbee547eb421b00d1575b99d24f93f.pdf

scihub/10.1080/10408438808244625.pdf

JeffreyT. Cheung;Haluk Sankur(Department of Electronic Imaging, Science Center, Rockwell International, Thousand Oaks, California, United States Department of Applied Optics, Science Center, Rockwell International, Thousand Oaks, California, United States)

Cheung, Jeffrey T.; Sankur, Haluk

Taylor and Francis Group; Informa UK (Taylor & Francis); Taylor & Francis; Informa UK Limited (ISSN 1547-6561)

Crit. Rev. Solid State Mater. Sci.

Critical Reviews in Solid State and Material Sciences, #1, 15, pages 63-109, 1988 jan

No.1, Vol.15

sm11546893

{"container_title":"Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences","first_page":63,"issns":["1040-8436","1547-6561"],"issue":"1","last_page":109,"volume":"15"}

Referenced by: doi:10.1016/0038-1098(81)90676-1 doi:10.1016/0039-6028(83)90486-7 doi:10.1063/1.98199 doi:10.1116/1.572219 doi:10.1063/1.1698199 doi:10.1107/s0365110x60000418 doi:10.1088/0034-4885/47/11/002 doi:10.1364/ao.8.001115 doi:10.1143/jjap.16.553 doi:10.1016/0375-9601(82)90387-5 doi:10.1063/1.1714012 doi:10.1016/0040-6090(71)90049-6 doi:10.1063/1.98366 doi:10.1116/1.1492692 doi:10.1116/1.574032 doi:10.1088/0022-3735/2/12/432 doi:10.1103/physrev.148.928 doi:10.1088/0370-1328/87/1/327 doi:10.1103/physrevlett.47.356 doi:10.1063/1.92347 doi:10.1364/ao.4.000147 doi:10.1063/1.96388 doi:10.1063/1.93811 doi:10.1063/1.98307 doi:10.1063/1.95768 doi:10.1116/1.574257 doi:10.1116/1.583024 doi:10.1063/1.96807 doi:10.1116/1.583811 doi:10.1063/1.94870 doi:10.1116/1.574130 doi:10.1364/ao.25.001962 doi:10.1063/1.1680538 doi:10.1088/0022-3727/3/3/101 doi:10.1016/0167-577x(87)90104-2 doi:10.1364/ao.24.003343 doi:10.1007/bf00558179 doi:10.1088/0022-3727/9/3/003 doi:10.1557/proc-29-301 doi:10.1063/1.1656056 doi:10.1364/ao.23.002770 doi:10.1007/bf00726479 doi:10.1063/1.94389 doi:10.1088/0032-1028/10/9/307 doi:10.1016/0040-6090(82)90189-4 doi:10.1063/1.98837 doi:10.1116/1.571708 doi:10.1063/1.91722 doi:10.1063/1.432701 doi:10.1063/1.90737 doi:10.1063/1.324153 doi:10.1016/0040-6090(77)90246-2 doi:10.1063/1.37092 doi:10.1007/bf01728683 doi:10.1364/ao.15.001327 doi:10.1063/1.1723562 doi:10.1116/1.573739 doi:10.1016/0025-5408(68)90004-4 doi:10.1063/1.332476 doi:10.1557/proc-29-373 doi:10.1063/1.98489 doi:10.1063/1.1686447 doi:10.1063/1.1660988 doi:10.1088/0022-3727/17/7/028 doi:10.1088/0022-3727/12/10/003 doi:10.1007/bf01728682 doi:10.1364/josa.57.0966_1 doi:10.1007/bf00719740 doi:10.1063/1.37089 doi:10.1070/qe1984v014n11abeh006478 doi:10.1063/1.37091 doi:10.1063/1.1661912 doi:10.1016/0030-4018(75)90102-9 doi:10.1007/bf01177158 doi:10.1016/0040-6090(75)90213-8 doi:10.1143/jjap.24.270 doi:10.1116/1.572276 doi:10.1063/1.430893 doi:10.1007/bf00935394 doi:10.1063/1.97542 doi:10.1063/1.1662765 doi:10.1149/1.2410986 doi:10.1063/1.94317 doi:10.1016/0025-5408(74)90068-3 doi:10.1063/1.332461 doi:10.1117/12.941858 doi:10.1063/1.327420 doi:10.1016/0020-7381(74)83004-4 doi:10.1063/1.324265 doi:10.1116/1.583771 doi:10.1063/1.321802 doi:10.1116/1.574220 doi:10.1116/1.583770 doi:10.1063/1.338376 doi:10.1016/0022-4596(78)90137-8 doi:10.1557/jmr.1987.0244 doi:10.1016/0368-2048(83)80054-1 doi:10.1557/proc-77-727 doi:10.1016/0025-5408(68)90005-6 doi:10.1080/01611598308243645 doi:10.1366/000370270774371381 doi:10.1016/0029-554x(79)90480-4 doi:10.1016/0022-0248(82)90462-6 doi:10.1063/1.94752 doi:10.1016/0040-6090(83)90401-7

类型: 期刊

作者及作者单位: JeffreyT. Cheung;Haluk Sankur（Department of Electronic Imaging, Science Center, Rockwell International, Thousand Oaks, California, United States Department of Applied Optics, Science Center, Rockwell International, Thousand Oaks, California, United States）

期刊名: Crit. Rev. Solid State Mater. Sci.

年份: 1988

卷号: Vol.15

期号: No.1

页码: P63-109

摘要: ... developments in thin-film growth of highly cryst. dielec. materials, high Tc superconductors, and...

... developments in thin-film growth of highly cryst. dielec. materials, high Tc superconductors, and...

2025-11-09